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发布时间：2025/4/14 17:49:50 发布：sddrgy

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实验结果表明:随着变形温度的升高、变形速率的增大、变形量的增大或道次间间隔时间的增长，静态再结晶的体积分数逐渐升高，道次的残余应变率逐渐降低;原始奥氏体晶粒尺寸增大，静态再结晶体积分数降低，但变化不大;在1250℃以下，随着奥氏体化温度的升高，静态再结晶体积分数降低不明显，但在1250℃以上，奥氏体化温度的升高明显降低了静态再结晶体积分数。通过线性拟合以及二乘法，得到静态再结晶体积分数与不同变形工艺参数之间关系的数学模型;对已有残余应变率数学模型进行修正，得到含有应变速率项的残余应变率数学模型，拟合度较好。

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