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文章来源:shuoxin168 发布时间:2024-07-08 14:46:53


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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。熟悉控制元件的作用。熟记回路原则和搭铁极性。了解继电器的工作状态。通过解剖典型电路、达到触类旁通。电路保护装置的常用符号易熔线2)汽车电路识图的基本方法化整为零按汽车电路系统的各功能及工作原理把整车电气系统划分成若干个独立的电路系统,分别进行分析。这样化整体为部分,有重点地进行分析。为了阅读方便,现在多数汽车的电路原理图是按各个电路系统进行绘制的。分析各元件的功能和功用在分析某个电路系统前,要清楚该电路中所包含的各部件的功能和作用,技术参数等。但是人并没有变,仍然主要是用眼睛和手。所以人机界面的进步,只能体现在能使人看到的内容更直观、更丰富、更生动和更准确上。在理解人手的动作方面更准确、更快捷而已。电子技术在可视技术方面的发展,令人眼花缭乱。它的出现和日新月异的发展,为我们眼睛接收信息能力的扩展了几乎无限的可能。它被立即应用到人机界面中,几乎也成了不可或缺的主角。我们已经对各种仪表、按钮、指示灯、关、仪表盘、控制箱,甚至遥控器之类十分熟悉了,只是没有把它当成是人机界面而已。同时需要注意市电的有效值为220V,其峰值电压为311V,以此计算我们可以得到每个电阻的瞬时功率为228mw,严重超过了电阻的额定功率,因此使用是存在危险的。光耦的过零点反应速度慢,TZA上升沿时间长。实际测试发现光耦过零点上升沿和下降沿的跳变时间为120us左右(高低电平压差为3.3V)。对于一般的应用可以接受,但是对于通信中的同步应用该反应时间将严重影响通信质量。因为在120us内都可以认为是发生了过零事件,也就是说我对过零的判断可能存在达120us的偏差。